| 相变存储器(phase change memory),简称PCM,利用硫族化合物在晶态和非晶态巨大的导电性差异来存储数据的。 |
| 发表日期 | 标题 | 提问者 | 人气数/回复数 | 论坛 |
| 2011-09-29 |
三星将展示复位电流降低90%的材料等相变存储器最新进展
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Mike_GS | 183 / 1 | 自由讨论 [ 评论专区 ] |
| 2011-07-07 |
IBM实现相变存储器可靠存储多个位元
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编辑部 | 210 / 2 | 自由讨论 [ 评论专区 ] |
| 2011-05-06 |
拆解三星PCM手机:相变存储器前景未知
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编辑部 | 542 / 2 | 自由讨论 [ 评论专区 ] |
| 2011-04-18 |
中科院:首款自主相变存储器芯片研制成功
( 变存储器 pcram芯片 中科院 ) |
小编Ana | 2006 / 12 | 自由讨论 [ 本土IC技术专区 ] |
| 2010-07-20 |
智能电表设计中如何应用相变存储器
( 解决方案 ) |
八仙鱼丸 | 444 / 0 | 自由讨论 [ 嵌入式系统专区 ] |
| 2010-07-20 |
探讨关于相变存储器可靠性详解
( 解决方案 ) |
八仙鱼丸 | 545 / 3 | 自由讨论 [ 电子技术基础知识专区 ] |
| 2009-12-29 |
相变存储器改变我们对非易失性存储器技术的看法
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朱钧 | 422 / 2 | 自由讨论 [ 评论专区 ] |
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